Bir mosfetin gate ucuna gerilim uygulandığında, gate kapasitesi yeterli şarja ulaşana kadar gate ucunda plato voltajı görülür. Bu voltaj değeri, mosfeti anahtarlamak için gereken şarj miktarının ve gate direncinin hesaplanmasında yardımcı olur.

Qgate = Igate x tON

Igate = (Vcc-Vplato)/Rgate

Qgate: Gereken şarj miktarı (Coulomb)

Rgate: Gate şarj direnci (Ohm)

Igate: Rgate direnci sayesinde belirlenen şarj akımı (Amper)

tON: Şarj süresi (Saniye)

Vplato: Plato voltajı (Volt)

Aşağıda STP75NF20 mosfetinin miller platosunu gösteren grafik görülmektedir.

Bu grafiğe göre plato voltajı 6V'tur.

Yukarıdaki tabloya göre gereken gate şarj miktarı 18nC'tur.

Uygulanacak 10V gate voltajına göre şarj süresinin 22ns olması için gate direncinin hesabı şu şekildedir:

Vplato = 6V

Qgate = 18nC

Vcc = 10V

tON = 22ns

Igate = 18nC / 22ns

Igate = 0,818A

Rgate = (Vcc - Vplato) / Igate

Rgate = (10V - 6V) / 0,818A

Rgate = 4,88Ω

Anahtarlamanın bu sürede gerçekleşebilmesi için Rgate direnci en fazla 4,88Ω olmalıdır. Pratik olarak 4,7Ω kullanılabilir.

Uygulanacak gate voltajı (Vcc) artırılırsa ve/veya gate şarj direnci (Rgate) azaltılırsa, mosfetin anahtarlanma süresi (tON) kısalır.

Bu mosfet, NCP1252 entegresi ile anahtarlanmak istenirse aşağıdaki tabloda görülen değerlere göre anahtarlama süresi uzun olur ve bundan dolayı anahtarlama kayıpları artar.

Bu engellemek için bir mosfet sürücü kullanılmak zorundadır.